| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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FDP20N50F |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 12032 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDP20N50F参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：500V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：20A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：260 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3390pF @ 25V 功率 - 最大值：250W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 旋转C7D0112N-30C RF 评估和开发套F2M03G-KIT-1 Card EdgeEMC36DRXN-S734 圆形 - 外壳ACT90MJ61BA-3025 PMIC - 稳压ISL9000AIRGPZ-T Card EdgeGCM15DCTI 薄膜电容器ECQ-E2685KF 接口 - 驱动器，ADM101EARMZ 矩形A3AKB-3036M Card EdgeECC28DRYI-S734 |
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